• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Статья
Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы

Юрасов Д., Байдакова Н., Вербус В. А. и др.

Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 5. С. 420-426.

Глава в книге
International collaboration of post-Soviet countries: what has changed in post-Soviet period?

Matveeva N., Lovakov A., Sterligov I.

In bk.: Proceedings of the 18th International Conference on Scientometrics and Informetrics. 2021. P. 1517-1518.

Препринт
Does technological development explain higher education expansion?

Telezhkina M., Maksimov A.

Basic research program. WP BRP. National Research University Higher School of Economics, 2020. No. 59/EDU/2020.

Сотрудники

Елисеев Александр Валерьевич

Приглашенный специалист

Пыхтеев Юрий Николаевич

Приглашенный специалист